Epitaxial wafer

...In the case of integrated circuit elements, silicon grown as single crystals with diameters of 100 to 150 mm is cut to about 0.6 to 0.8 mm, then polished and mirror-polished to be used as wafers of 0.5 to 0.6 mm. Some types of integrated circuit elements use epitaxial wafers in which silicon of 5 to 20 μm thickness is epitaxially grown in vapor phase on the above wafers. For power elements and discrete elements for small signal amplification, wafers processed to diameters of 76 to 125 mm and thicknesses of about 0.4 to 0.6 mm are used. ...

*Some of the terminology used to refer to "epitaxial wafers" is listed below.

Source | Heibonsha World Encyclopedia 2nd Edition | Information

…集積回路の素子の場合では，100mm径から150mm径の単結晶に育成したSiを0.6～0.8mm程度に切断後，研磨，鏡面研磨し0.5～0.6mmのウェーハーとして使用する。一部の種類の集積回路素子は，上記ウェーハー上に5～20μm厚のSiを気相でエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェーハーを使用する。電力用素子や小信号増幅用個別素子用は，76mm径から125mm径，厚さ0.4～0.6mm程度に加工したウェーハーが使用されている。…

※「エピタキシャルウェーハー」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典｜株式会社平凡社世界大百科事典 第２版について | 情報