Chemical vapor deposition

Japanese: 化学蒸着 - かがくじょうちゃく（英語表記）chemical vapor deposition

Abbreviation: CVD. A technique for forming thin films on substrates related to functional materials and semiconductor materials. Thermal CVD is the oldest. Its principle is that a gas with high vapor pressure such as a halide is fed into a reactor with hydrogen as a carrier gas along with reactive gases containing nitrogen, carbon, or oxygen, causing a high-temperature chemical reaction to form ceramic films such as titanium nitride TiN, titanium carbide TiC, and alumina _Al2O3 _. Recently, plasma CVD, which lowers the processing temperature and increases reactivity, and optical CVD, which uses laser light, have appeared.

Source: Encyclopaedia Britannica Concise Encyclopedia About Encyclopaedia Britannica Concise Encyclopedia Information

Japanese:

略称 CVD。機能性材料や半導体材料にかかわる，基板上への薄膜作製技術の一つ。熱 CVDが最も古くからある。その原理は，ハロゲン化物のような蒸気圧の高いガスを，水素をキャリアガスとして，窒素や炭素あるいは酸素を含む反応性ガスとともに反応炉に送り込み，高温化学反応を起させて，窒化チタン TiN，炭化チタン TiC，アルミナ Al₂O₃ などのセラミック皮膜を形成させるものである。最近では処理温度を低くして反応性を高めるプラズマ CVDやレーザー光を用いた光 CVDが現れている。

出典　ブリタニカ国際大百科事典小項目事典ブリタニカ国際大百科事典小項目事典について　情報

<<: Chemical evolution

>>: Scientism - kagakushugi (English spelling) scientism