Metal oxide semiconductor diode

...A diode (Figure 1) that is constructed by forming an insulating film on the surface of a semiconductor and attaching a metal electrode on top of it. Particularly important is the MOS diode (short for metal oxide semiconductor diode), which is made by forming a silicon dioxide film on a silicon substrate. Rather than being used as a passive diode, it is important as a component of a MOS field effect transistor (abbreviated as MOS FET). When a MOS diode is made using n-type silicon, applying a positive voltage to the metal electrode induces electrons on the silicon surface to form an accumulation layer, so the admittance of the MOS diode becomes the capacitance of a parallel plane capacitor sandwiching a silicon dioxide film. However, applying a negative voltage to the metal electrode depletes the silicon surface, and if the negative voltage becomes even larger, an inversion layer is formed on the silicon surface, so the capacitance decreases, and the capacitance changes with voltage as shown in Figure 2. ...

*Some of the terminology that refers to "metal oxide semiconductor diode" is listed below.

Source | Heibonsha World Encyclopedia 2nd Edition | Information

…半導体の表面に絶縁膜を形成し，そのうえに金属電極を付して構成されるダイオード(図1)。とくに重要なのは，シリコン基板上に二酸化シリコン膜を形成して作られるモスダイオードMOS diode(metal oxide semiconductor diodeの略)で，受動素子のダイオードとして使用されるよりも，MOS電界効果トランジスター(略称MOS FET)の構成要素として重要である。n型シリコンを用いてMOSダイオードを作成した場合，金属電極に正電圧を加えるとシリコン表面には電子が誘起されて蓄積層を形成するために，MOSダイオードのアドミタンスは二酸化シリコン膜をはさんだ平行平面コンデンサーとしてのキャパシタンスとなるが，金属電極に負電圧を加えるとシリコン表面は空乏化し，負電圧がさらに大きくなるとシリコン表面には反転層が形成されるので，キャパシタンスは小さくなり図2に示すようにキャパシタンスは電圧により変化する。…

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出典｜株式会社平凡社世界大百科事典 第２版について | 情報