Molecular beam epitaxy

...Since around 1970, development has progressed with methods using deposition and molecular beam epitaxy in ultra-high vacuum (MBE, short for molecular beam epitaxy), methods using organometallic compounds, and methods of epitaxial growth by heating thin polycrystalline or amorphous thin films on a substrate in the solid phase or by partially melting them, some of which have been put to practical use. Three-dimensional devices are made by repeatedly using these methods to create layers. ...

*Some of the terminology that refers to "molecular beam epitaxy" is listed below.

Source | Heibonsha World Encyclopedia 2nd Edition | Information

…　1970年ころから超高真空中での蒸着や分子線を用いる方法(MBE。molecular beam epitaxyの略)，有機金属化合物を用いる方法，基板上の薄い多結晶や非晶質薄膜を加熱して固相のまま，あるいは一部融解させてエピタキシー成長させる方法の開発も進んでおり，一部実用化されている。三次元デバイスはこのような方法を繰り返し使用し，積層化をはかる。…

※「molecular beam epitaxy」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典｜株式会社平凡社世界大百科事典 第２版について | 情報