sputtering

...A device that forms a single crystal thin film by cooling the area around the evaporation source to prevent the formation of an atmosphere by the evaporated material, and by making it easy to control the evaporation by a shutter, making it possible to control the thickness of the thin film to the order of ^10-1 nm, is called a molecular beam epitaxy device. Instead of heating and evaporating the thin film material, the method of irradiating the thin film material with high-speed ions generated by an ion gun or glow discharge, etc., and evaporating it by ion collisions is called sputtering, and the part equivalent to the evaporation source in this case is called the target. In a direct current two-pole glow discharge in an inert gas (mainly Ar) of about ^10-1 to ^10-1 Pa, the material of the cathode is attached to the surrounding walls by sputtering, and a thin film is formed on a substrate appropriately placed around the cathode. ...

*Some terminology explanations that mention "sputtering" are listed below.

Source | Heibonsha World Encyclopedia 2nd Edition | Information

…蒸発源の周辺を冷却して蒸発した物質による雰囲気の形成を妨げ，シャッターによる蒸発の制御を容易にして薄膜の厚さを10^－1nmの桁で制御できるようにしたうえで単結晶薄膜を形成する装置をとくに分子線エピタキシー装置という。　薄膜材料を加熱，蒸発させるかわりに，イオン銃やグロー放電などで発生させた高速イオンを薄膜材料に照射し，イオン衝突で蒸発させる方法をスパッタリングsputteringといい，この場合の蒸発源に相当する部分をターゲットと呼ぶ。10¹～10^－1Pa程度の不活性ガス(おもにAr)中での直流2極グロー放電で，陰極の物質はスパッタリングにより周辺の壁に付着するので，陰極周辺に適当におかれた基板上には薄膜が形成される。…

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出典｜株式会社平凡社世界大百科事典 第２版について | 情報