Linienfeld, JE (English spelling)

...There are bipolar transistors and field effect transistors. A patent for the field effect transistor was filed in 1928 by American JE Linienfeld, but the first bipolar transistor was reported in 1948 by J. Bardeen and W. Brattain in the form of a point contact transistor. In 1949, W. Shockley published a theory on transistors using p-n junctions and p-n junctions, and then a prototype of a grown junction transistor was announced. A practical field effect transistor was prototyped shortly after Shockley published his theory on the junction gate field effect transistor in 1952, and the MOS field effect transistor appeared in the early 1960s. ...

*Some of the terminology that mentions "Linienfeld, JE" is listed below.

Source | Heibonsha World Encyclopedia 2nd Edition | Information

…バイポーラートランジスターと電界効果トランジスターがある。電界効果トランジスターは，アメリカのリニエンフェルドJ.E.Linienfeldにより1928年に特許が提出されているが，バイポーラートランジスターは，48年にバーディーンJ.BardeenおよびブラッテンW.Brattainにより点接触トランジスターの形で報告されたものが最初で，その後49年にはショックリーW.Shockleyによりp‐n接合およびp‐n接合を用いたトランジスターの理論が発表され，次いで成長接合トランジスターの試作が発表された。実用的な電界効果トランジスターとしては52年にショックリーによる接合ゲート電界効果トランジスターの理論が発表された後，まもなく試作が行われ，MOS電界効果トランジスターが出現したのは60年代の初期である。…

※「Linienfeld，J.E.」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典｜株式会社平凡社世界大百科事典 第２版について | 情報